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SISHA12ADN-T1-GE3

SISHA12ADN-T1-GE3

SISHA12ADN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 22A/25A PPAK

compliant

SISHA12ADN-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.90000 $0.9
500 $0.891 $445.5
1000 $0.882 $882
1500 $0.873 $1309.5
2000 $0.864 $1728
2500 $0.855 $2137.5
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 22A (Ta), 25A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 4.3mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 45 nC @ 10 V
vgs (max) +20V, -16V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2070 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3.5W (Ta), 28W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8SH
Paket / Koffer PowerPAK® 1212-8SH
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Zugehörige Teilenummer

FQP50N06
FQP50N06
$0 $/Stück
IXFH6N120P
IXFH6N120P
$0 $/Stück
FDD86102
FDD86102
$0 $/Stück
STFI24NM60N
DMP2110U-13
FDMS3500
FDMS3500
$0 $/Stück

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