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SISS05DN-T1-GE3

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SISS05DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 30V 29.4A/108A PPAK

nicht konform

SISS05DN-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.32000 $1.32
500 $1.3068 $653.4
1000 $1.2936 $1293.6
1500 $1.2804 $1920.6
2000 $1.2672 $2534.4
2500 $1.254 $3135
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 29.4A (Ta), 108A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 3.5mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 115 nC @ 10 V
vgs (max) +16V, -20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 4930 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8S
Paket / Koffer PowerPAK® 1212-8S
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Zugehörige Teilenummer

STP9NK60Z
STP9NK60Z
$0 $/Stück
RQ6E045SNTR
FDZ197PZ
STW28N65M2
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$0 $/Stück
SIHP186N60EF-GE3
NVMFS4C03NT3G
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$0 $/Stück
NTE2380
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CSD22202W15
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$0 $/Stück

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