Welcome to ichome.com!

logo
Heim

SISS12DN-T1-GE3

SISS12DN-T1-GE3

SISS12DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 40V 37.5A/60A PPAK

nicht konform

SISS12DN-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.55350 -
6,000 $0.52751 -
15,000 $0.50895 -
0 items
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 40 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 37.5A (Ta), 60A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1.98mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 89 nC @ 10 V
vgs (max) +20V, -16V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 4270 pF @ 20 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8S
Paket / Koffer PowerPAK® 1212-8S
Das Laden der PDF ist fehlgeschlagen. Sie können versuchen, sie in einem neuen Fenster zu öffnen, um darauf zuzugreifen [Offen], oder klicken Sie hier, um zurückzukehren

Zugehörige Teilenummer

QS5U17TR
QS5U17TR
$0 $/Stück
IXTA80N075L2-TRL
IXTA80N075L2-TRL
$0 $/Stück
DMN2029UVT-13
NTTFS015N04CTAG
NTTFS015N04CTAG
$0 $/Stück
FQPF45N15V2
FQPF45N15V2
$0 $/Stück
AUIRF1404
STF13NK50Z
STF13NK50Z
$0 $/Stück

Ihr zuverlässiger Partner in der Elektronik

Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.