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SISS23DN-T1-GE3

SISS23DN-T1-GE3

SISS23DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8S

SOT-23

nicht konform

SISS23DN-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.37070 -
6,000 $0.34664 -
15,000 $0.33461 -
30,000 $0.32805 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 50A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 1.8V, 4.5V
rds ein (max) @ id, vgs 4.5mOhm @ 20A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 900mV @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 300 nC @ 10 V
vgs (max) ±8V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 8840 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 4.8W (Ta), 57W (Tc)
Betriebstemperatur -50°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8S
Paket / Koffer PowerPAK® 1212-8S
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Zugehörige Teilenummer

SI7454DP-T1-E3
STP18N65M2
STP18N65M2
$0 $/Stück
SIRA84BDP-T1-GE3
IRFR210TRPBF-BE3
IRF9Z34PBF
IRF9Z34PBF
$0 $/Stück
STP270N8F7
STP270N8F7
$0 $/Stück
ZXMN2069FTA
RTM002P02T2L

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