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RTM002P02T2L

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MOSFET P-CH 20V 200MA VMT3

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RTM002P02T2L Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
8,000 $0.13050 -
16,000 $0.12600 -
832 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 200mA (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 2.5V, 4.5V
rds ein (max) @ id, vgs 1.5Ohm @ 200mA, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 2V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±12V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 50 pF @ 10 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 150mW (Ta)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket VMT3
Paket / Koffer SOT-723
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Zugehörige Teilenummer

ZVN4306GTA
IXFN340N06
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$0 $/Stück
NVB110N65S3F
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$0 $/Stück
SQS850EN-T1_GE3
RM21N650TI
RM21N650TI
$0 $/Stück
FQA65N20
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