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SQS850EN-T1_GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 60V 12A PPAK1212-8

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SQS850EN-T1_GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.41697 -
6,000 $0.38991 -
15,000 $0.37638 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 12A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 21.5mOhm @ 6.1A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 41 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2021 pF @ 30 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 33W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8
Paket / Koffer PowerPAK® 1212-8
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Zugehörige Teilenummer

RM21N650TI
RM21N650TI
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FQA65N20
FQA65N20
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STF16N60M6
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STP4NK80Z
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IXFR20N80P
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