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SISS27DN-T1-GE3

SISS27DN-T1-GE3

SISS27DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 30V 50A PPAK 1212-8S

compliant

SISS27DN-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.36154 -
6,000 $0.33808 -
15,000 $0.32635 -
30,000 $0.31995 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 50A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 5.6mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 140 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 5250 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 4.8W (Ta), 57W (Tc)
Betriebstemperatur -50°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8S
Paket / Koffer PowerPAK® 1212-8S
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Zugehörige Teilenummer

IXTH48P20P
IXTH48P20P
$0 $/Stück
IXFP8N65X2
IXFP8N65X2
$0 $/Stück
IXTP12N50PM
IXTP12N50PM
$0 $/Stück
STP33N60DM2
FCPF190N65S3R0L
FCPF190N65S3R0L
$0 $/Stück

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