Welcome to ichome.com!

logo
Heim

SISS42LDN-T1-GE3

SISS42LDN-T1-GE3

SISS42LDN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 100V 11.3A/39A PPAK

compliant

SISS42LDN-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.36000 $1.36
500 $1.3464 $673.2
1000 $1.3328 $1332.8
1500 $1.3192 $1978.8
2000 $1.3056 $2611.2
2500 $1.292 $3230
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 11.3A (Ta), 39A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 14.9mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 48 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2058 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 4.8W (Ta), 57W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8S
Paket / Koffer PowerPAK® 1212-8S
Das Laden der PDF ist fehlgeschlagen. Sie können versuchen, sie in einem neuen Fenster zu öffnen, um darauf zuzugreifen [Offen], oder klicken Sie hier, um zurückzukehren

Zugehörige Teilenummer

Ihr zuverlässiger Partner in der Elektronik

Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.