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SISS46DN-T1-GE3

SISS46DN-T1-GE3

SISS46DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 100V 12.5/45.3A PPAK

compliant

SISS46DN-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.79250 -
6,000 $0.76500 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 12.5A (Ta), 45.3A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 7.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 12.8mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 42 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2140 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8S
Paket / Koffer PowerPAK® 1212-8S
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Zugehörige Teilenummer

STD8N80K5
STD8N80K5
$0 $/Stück
IRF610B
STY140NS10
STY140NS10
$0 $/Stück
FDS8670
PMPB95ENEA/FX
SIRA10BDP-T1-GE3
STW26NM60N
STW26NM60N
$0 $/Stück

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