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SIRA10BDP-T1-GE3

SIRA10BDP-T1-GE3

SIRA10BDP-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 30A/60A PPAK SO8

compliant

SIRA10BDP-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.34021 -
6,000 $0.31675 -
15,000 $0.30502 -
30,000 $0.29862 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 30A (Ta), 60A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 3.6mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 36.2 nC @ 10 V
vgs (max) +20V, -16V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1710 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 5W (Ta), 43W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8
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Zugehörige Teilenummer

STW26NM60N
STW26NM60N
$0 $/Stück
IXFT88N30P
IXFT88N30P
$0 $/Stück
FDB12N50TM
FDB12N50TM
$0 $/Stück
RM130N30D3
RM130N30D3
$0 $/Stück
SQJ164ELP-T1_GE3
NVMFS5C604NLWFAFT1G
NVMFS5C604NLWFAFT1G
$0 $/Stück
SCH1332-TL-W
SCH1332-TL-W
$0 $/Stück

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