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SISS50DN-T1-GE3

SISS50DN-T1-GE3

SISS50DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 45V 29.7A/108A PPAK

nicht konform

SISS50DN-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.92000 $0.92
500 $0.9108 $455.4
1000 $0.9016 $901.6
1500 $0.8924 $1338.6
2000 $0.8832 $1766.4
2500 $0.874 $2185
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 45 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 29.7A (Ta), 108A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 2.83mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 70 nC @ 10 V
vgs (max) +20V, -16V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 4000 pF @ 20 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8S
Paket / Koffer PowerPAK® 1212-8S
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Zugehörige Teilenummer

IRFB7734PBF
NX3008NBKMB,315
IRF710STRLPBF
CSD25501F3
CSD25501F3
$0 $/Stück
NTMFS4H01NT1G
NTMFS4H01NT1G
$0 $/Stück
FDMC013P030Z
FDMC013P030Z
$0 $/Stück
SI4401FDY-T1-GE3
IRFPC50PBF
IRFPC50PBF
$0 $/Stück
FQB8N25TM
RZM001P02T2L

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