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SISS64DN-T1-GE3

SISS64DN-T1-GE3

SISS64DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8S

compliant

SISS64DN-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.65321 -
6,000 $0.62254 -
15,000 $0.60064 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 40A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 2.1mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 68 nC @ 10 V
vgs (max) +20V, -16V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3420 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 57W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8S
Paket / Koffer PowerPAK® 1212-8S
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Zugehörige Teilenummer

DMN3025LSS-13
DMT5015LFDF-13
SIDR870ADP-T1-GE3
SQS401EN-T1_BE3
DMN1150UFB-7B
STP210N75F6
SIHB105N60EF-GE3
SUD19N20-90-BE3
RM5N150S8
RM5N150S8
$0 $/Stück
CSD16322Q5C
CSD16322Q5C
$0 $/Stück

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