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SISS70DN-T1-GE3

SISS70DN-T1-GE3

SISS70DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 125V 8.5A/31A PPAK

compliant

SISS70DN-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.64206 -
6,000 $0.61192 -
15,000 $0.59038 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 125 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 8.5A (Ta), 31A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 29.8mOhm @ 8.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 15.3 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 535 pF @ 62.5 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 5.1W (Ta), 65.8W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8S
Paket / Koffer PowerPAK® 1212-8S
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Zugehörige Teilenummer

PSMN1R5-30YL,115
DMG1013UW-7
SI2365EDS-T1-GE3
FDPF39N20
FDPF39N20
$0 $/Stück
DMP32D9UFO-7B
IXTA4N80P
IXTA4N80P
$0 $/Stück

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