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SISS94DN-T1-GE3

SISS94DN-T1-GE3

SISS94DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 200V 5.4A/19.5A PPAK

compliant

SISS94DN-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.96000 $0.96
500 $0.9504 $475.2
1000 $0.9408 $940.8
1500 $0.9312 $1396.8
2000 $0.9216 $1843.2
2500 $0.912 $2280
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 200 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 5.4A (Ta), 19.5A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 7.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 75mOhm @ 5.4A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 21 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 350 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 5.1W (Ta), 65.8W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8S
Paket / Koffer PowerPAK® 1212-8S
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Zugehörige Teilenummer

BUK9609-55A,118
BUK9609-55A,118
$0 $/Stück
IRFBE20PBF
IRFBE20PBF
$0 $/Stück
SI3433CDV-T1-GE3
FDD8876
FDD8876
$0 $/Stück
SI4842BDY-T1-E3
IXFT86N30T
IXFT86N30T
$0 $/Stück
SI8812DB-T2-E1
DI035P04PT-AQ
DMN53D0LW-7

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