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SISS94DN-T1-GE3

SISS94DN-T1-GE3

SISS94DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 200V 5.4A/19.5A PPAK

nicht konform

SISS94DN-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.96000 $0.96
500 $0.9504 $475.2
1000 $0.9408 $940.8
1500 $0.9312 $1396.8
2000 $0.9216 $1843.2
2500 $0.912 $2280
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 200 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 5.4A (Ta), 19.5A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 7.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 75mOhm @ 5.4A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 21 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 350 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 5.1W (Ta), 65.8W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8S
Paket / Koffer PowerPAK® 1212-8S
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Zugehörige Teilenummer

BUK9609-55A,118
BUK9609-55A,118
$0 $/Stück
IRFBE20PBF
IRFBE20PBF
$0 $/Stück
SI3433CDV-T1-GE3
FDD8876
FDD8876
$0 $/Stück
SI4842BDY-T1-E3
IXFT86N30T
IXFT86N30T
$0 $/Stück
SI8812DB-T2-E1
DI035P04PT-AQ
DMN53D0LW-7

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