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SIZ914DT-T1-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET 2N-CH 30V 16A PWRPAIR

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SIZ914DT-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
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500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ 2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 16A, 40A
rds ein (max) @ id, vgs 6.4mOhm @ 19A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 26nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1208pF @ 15V
Leistung - max. 22.7W, 100W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-PowerWDFN
Lieferantengerätepaket 8-PowerPair®
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Zugehörige Teilenummer

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SP8M8FU6TB
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MP6K31TCR
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IRF9952
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$0 $/Stück
SI9955DY
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NTZD3156CT5G
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SI7958DP-T1-E3
IRF7389
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