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SIZ918DT-T1-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR

nicht konform

SIZ918DT-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.59040 -
6,000 $0.56268 -
15,000 $0.54288 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ 2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 16A, 28A
rds ein (max) @ id, vgs 12mOhm @ 13.8A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 21nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 790pF @ 15V
Leistung - max. 29W, 100W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-PowerWDFN
Lieferantengerätepaket 8-PowerPair® (6x5)
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