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SQ2318BES-T1_GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 40V 8A SOT23-3

nicht konform

SQ2318BES-T1_GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.57000 $0.57
500 $0.5643 $282.15
1000 $0.5586 $558.6
1500 $0.5529 $829.35
2000 $0.5472 $1094.4
2500 $0.5415 $1353.75
0 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 40 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 8A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 26.3mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 9.4 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 500 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-23-3 (TO-236)
Paket / Koffer TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Zugehörige Teilenummer

IXFH10N80P
IXFH10N80P
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STW18NM80
STW18NM80
$0 $/Stück
NTMS4177PR2G
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$0 $/Stück
IPP65R125C7
ZVN4306AV
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$0 $/Stück
IXFT220N20X3HV
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