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SQD07N25-350H_GE3

SQD07N25-350H_GE3

SQD07N25-350H_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 250V 7A TO252AA

compliant

SQD07N25-350H_GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,000 $0.66528 -
6,000 $0.63202 -
10,000 $0.60826 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 250 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 7A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 350mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 29 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1205 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 71W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-252AA
Paket / Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Zugehörige Teilenummer

BUK768R1-40E,118
FQP630
IXTA220N04T2-TRL
IXTA220N04T2-TRL
$0 $/Stück
IRL40B209
R6046FNZ1C9
FDA50N50
FDA50N50
$0 $/Stück
NTD4909N-35G
NTD4909N-35G
$0 $/Stück
IXTH3N200P3HV
IXTH3N200P3HV
$0 $/Stück
DMP65H9D0HSS-13

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