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SQJ202EP-T1_GE3

SQJ202EP-T1_GE3

SQJ202EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET 2N-CH 12V 20A/60A PPAK SO

nicht konform

SQJ202EP-T1_GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.57072 -
6,000 $0.54392 -
15,000 $0.52478 -
18 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion Standard
Drain-Source-Spannung (VDSS) 12V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 20A, 60A
rds ein (max) @ id, vgs 6.5mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 22nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 975pF @ 6V
Leistung - max. 27W, 48W
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8 Dual
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
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Zugehörige Teilenummer

IPB13N03LBG
FDS6900S
FDMS3602AS
ZXMHC6A07N8TC
DMP2110UFDBQ-13
QH8K22TCR
QH8K22TCR
$0 $/Stück
SI4936ADY-T1-E3
DMC3400SDW-13
DMN3401LDW-7

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