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QH8K22TCR

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QH8K22 IS LOW ON - RESISTANCE MO

QH8K22TCR Technisches Datenblatt

nicht konform

QH8K22TCR Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.74000 $0.74
500 $0.7326 $366.3
1000 $0.7252 $725.2
1500 $0.7178 $1076.7
2000 $0.7104 $1420.8
2500 $0.703 $1757.5
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion Standard
Drain-Source-Spannung (VDSS) 40V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 6.5A (Ta)
rds ein (max) @ id, vgs 46mOhm @ 6.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 10µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 2.6nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 195pF @ 20V
Leistung - max. 1.1W (Ta)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-SMD, Flat Lead
Lieferantengerätepaket TSMT8
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Zugehörige Teilenummer

SI4936ADY-T1-E3
DMC3400SDW-13
DMN3401LDW-7
SQJ968EP-T1_GE3
2N7002PV,115
DMT10H017LPD-13
PMDPB56XNEAX
SI7998DP-T1-GE3
SI5504BDC-T1-E3

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