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2N7002PV,115

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2N7002PV,115

MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT-666

nicht konform

2N7002PV,115 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
4,000 $0.06600 -
8,000 $0.05940 -
12,000 $0.05280 -
28,000 $0.04950 -
100,000 $0.04290 -
200,000 $0.04224 -
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Name Wert
Produktstatus Not For New Designs
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 350mA
rds ein (max) @ id, vgs 1.6Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 0.8nC @ 4.5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 50pF @ 10V
Leistung - max. 330mW
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer SOT-563, SOT-666
Lieferantengerätepaket SOT-666
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Zugehörige Teilenummer

DMT10H017LPD-13
PMDPB56XNEAX
SI7998DP-T1-GE3
SI5504BDC-T1-E3
MCH6605-TL-E
MCH6605-TL-E
$0 $/Stück
NTLUD4C26NTAG
NTLUD4C26NTAG
$0 $/Stück
US6M2TR
US6M2TR
$0 $/Stück

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