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SQJ968EP-T1_GE3

SQJ968EP-T1_GE3

SQJ968EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

compliant

SQJ968EP-T1_GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.47232 -
6,000 $0.45014 -
15,000 $0.43430 -
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion Standard
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 23.5A (Tc)
rds ein (max) @ id, vgs 33.6mOhm @ 4.8A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 18.5nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 714pF @ 30V
Leistung - max. 42W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TA)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8 Dual
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8 Dual
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Zugehörige Teilenummer

2N7002PV,115
DMT10H017LPD-13
PMDPB56XNEAX
SI7998DP-T1-GE3
SI5504BDC-T1-E3
MCH6605-TL-E
MCH6605-TL-E
$0 $/Stück
NTLUD4C26NTAG
NTLUD4C26NTAG
$0 $/Stück

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