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SQJ410EP-T1_GE3

SQJ410EP-T1_GE3

SQJ410EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 32A PPAK SO-8

compliant

SQJ410EP-T1_GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $1.13407 -
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 32A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 3.9mOhm @ 10.3A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 110 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 6210 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 83W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8
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Zugehörige Teilenummer

RS3E130ATTB1
NTBLS001N06C
NTBLS001N06C
$0 $/Stück
DMTH4008LPS-13
IRF613
IRF613
$0 $/Stück
BUK7107-55ATE,118
DMTH43M8LFGQ-7
SFT1446-TL-H-ON
SFT1446-TL-H-ON
$0 $/Stück

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