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SQJ416EP-T1_GE3

SQJ416EP-T1_GE3

SQJ416EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 100V 27A PPAK SO-8

compliant

SQJ416EP-T1_GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.39663 -
6,000 $0.37089 -
15,000 $0.35802 -
30,000 $0.35100 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 27A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 30mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 20 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 800 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 45W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8
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Zugehörige Teilenummer

IXTX40P50P
IXTX40P50P
$0 $/Stück
STB35N60DM2
IRLU024NPBF
FDD6670A_NL
APT6025SVRG
IXTP1R6N100D2
IXTP1R6N100D2
$0 $/Stück
R6007JNXC7G
CSD19531Q5AT
SIHB22N60ET5-GE3

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