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SQJ423EP-T1_GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 40V 55A PPAK SO-8

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SQJ423EP-T1_GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.48216 -
6,000 $0.45952 -
15,000 $0.44335 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 40 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 55A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 14mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 130 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 4500 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 68W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8
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Zugehörige Teilenummer

IXTR32P60P
IXTR32P60P
$0 $/Stück
FQD4N50TF
NTE2396A
NTE2396A
$0 $/Stück
APT53N60BC6
IPA65R190C7
PSMN6R5-80BS,118
PMT200EN,135
PMT200EN,135
$0 $/Stück

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