SQJ456EP-T1_GE3 Vishay Siliconix von ichome.com

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Teilenummer des Herstellers:SQJ456EP-T1_GE3

Beschreibung:MOSFET N-CH 100V 32A PPAK SO-8

RoHs-Status:compliant

Menge	Stückpreis	Ext. Preis
3,000	$2.65710	-

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Name	Wert
Produktstatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS)	100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C	32A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an)	6V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs	26mOhm @ 9.3A, 10V
vgs(th) (max) @ ID	3.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs	63 nC @ 10 V
vgs (max)	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds	3342 pF @ 25 V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	83W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer	PowerPAK® SO-8