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SQJ474EP-T2_GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 100V 26A PPAK SO-8

nicht konform

SQJ474EP-T2_GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.42471 $0.42471
500 $0.4204629 $210.23145
1000 $0.4162158 $416.2158
1500 $0.4119687 $617.95305
2000 $0.4077216 $815.4432
2500 $0.4034745 $1008.68625
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 26A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 30mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 30 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1100 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 45W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8
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Zugehörige Teilenummer

PHD108NQ03LT,118
PHD108NQ03LT,118
$0 $/Stück
NTD4865N-1G
NTD4865N-1G
$0 $/Stück
BSH103,215
BSH103,215
$0 $/Stück
RM30N250DF
RM30N250DF
$0 $/Stück
IRF6727MTRPBF
STP20NM50FD
DMN3028L-7

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