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SQJ570EP-T1_GE3

SQJ570EP-T1_GE3

SQJ570EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N/P-CH 100V POWERPAK SO8

compliant

SQJ570EP-T1_GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.47232 -
6,000 $0.45014 -
15,000 $0.43430 -
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N and P-Channel
FET-Funktion Standard
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 15A (Tc), 9.5A (Tc)
rds ein (max) @ id, vgs 45mOhm @ 6A, 10V, 146mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 20nC @ 10V, 15nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 650pF @ 25V, 600pF @ 25V
Leistung - max. 27W
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8 Dual
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8 Dual
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Zugehörige Teilenummer

QS8M51TR
QS8M51TR
$0 $/Stück
CAR600M17HN6
CAR600M17HN6
$0 $/Stück
NVMFD5C680NLWFT1G
NVMFD5C680NLWFT1G
$0 $/Stück
IRF7309TRPBF
NTMFD6H852NLT1G
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$0 $/Stück
NTMD6N03R2
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DMN2016UFX-7

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