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SQJ844AEP-T1_GE3

SQJ844AEP-T1_GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8

nicht konform

SQJ844AEP-T1_GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.47232 -
6,000 $0.45014 -
15,000 $0.43430 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion Standard
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 8A
rds ein (max) @ id, vgs 16.6mOhm @ 7.6A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 26nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1161pF @ 15V
Leistung - max. 48W
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8 Dual
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8 Dual
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Zugehörige Teilenummer

DMN6040SSDQ-13
NX138BKSX
NX138BKSX
$0 $/Stück
PMDPB95XNE,115
PMDPB95XNE,115
$0 $/Stück
WAS175M12BM3
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$0 $/Stück
NTLLD4951NFTWG
NTLLD4951NFTWG
$0 $/Stück
DMN5L06VK-7
PMDPB70XPE,115

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