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SQJ858AEP-T1_GE3

SQJ858AEP-T1_GE3

SQJ858AEP-T1_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8

compliant

SQJ858AEP-T1_GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.48101 -
6,000 $0.45843 -
15,000 $0.44230 -
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 40 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 58A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 6.3mOhm @ 14A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 55 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2450 pF @ 20 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 48W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8
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Zugehörige Teilenummer

DMN2058UW-13
RSJ800N06TL
IPI072N10N3 G
BUK964R2-60E,118
BSH202,215
BSH202,215
$0 $/Stück
NTE2379
NTE2379
$0 $/Stück
MCU90N06A-TP
STB13N80K5
STB13N80K5
$0 $/Stück

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