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SQJQ410EL-T1_GE3

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SQJQ410EL-T1_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 100V 135A PPAK 8 X 8

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SQJQ410EL-T1_GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,000 $1.42650 -
6,000 $1.37700 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 135A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 3.4mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 150 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 7350 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 136W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 8 x 8
Paket / Koffer PowerPAK® 8 x 8
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Zugehörige Teilenummer

FCB290N80
FCB290N80
$0 $/Stück
NVMFS6H824NLT1G
NVMFS6H824NLT1G
$0 $/Stück
BUK7S0R9-40HJ
DMN61D8LQ-7
SQ2348ES-T1_GE3
DMN13H750S-7
SIR574DP-T1-RE3

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