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SQM35N30-97_GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 300V 35A TO263

nicht konform

SQM35N30-97_GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
800 $1.88100 $1504.8
1,600 $1.75560 -
2,400 $1.66782 -
5,600 $1.60512 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 300 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 35A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 97mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 130 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 5650 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 375W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-263 (D²Pak)
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

BUK7E1R8-40E,127
NTMFS4847NAT1G
NTMFS4847NAT1G
$0 $/Stück
IRLU3110ZPBF
RM11N800TI
RM11N800TI
$0 $/Stück
UF3C120080K4S
UF3C120080K4S
$0 $/Stück
IXFK220N17T2
IXFK220N17T2
$0 $/Stück

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