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SQS411ENW-T1_GE3

SQS411ENW-T1_GE3

SQS411ENW-T1_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8W

compliant

SQS411ENW-T1_GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.33561 -
6,000 $0.31383 -
15,000 $0.30294 -
30,000 $0.29700 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 40 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 16A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 27.3mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 50 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3191 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 39.5W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8W
Paket / Koffer PowerPAK® 1212-8W
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Zugehörige Teilenummer

HUF75339P3
HUF75339P3
$0 $/Stück
BUK9M14-40EX
DMT67M8LK3-13
IXTA36P15P
IXTA36P15P
$0 $/Stück
RM50N60T2
RM50N60T2
$0 $/Stück
G3R160MT17D
BUK768R1-100E,118
PSMN1R5-30YLC,115

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