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SQS423ENW-T1_GE3

SQS423ENW-T1_GE3

SQS423ENW-T1_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 30V 16A PPAK 1212-8W

compliant

SQS423ENW-T1_GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 16A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 21mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 26 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1975 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 62.5W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8W
Paket / Koffer PowerPAK® 1212-8W
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Zugehörige Teilenummer

SIA444DJT-T1-GE3
STB18N55M5
STB18N55M5
$0 $/Stück
IXFK52N60Q2
IXFK52N60Q2
$0 $/Stück
AUIRF2907Z
FDD5N50TF_WS
FDD5N50TF_WS
$0 $/Stück
FDMS9410-F085
FDMS9410-F085
$0 $/Stück
ATP108-TL-H
ATP108-TL-H
$0 $/Stück
IXFK150N10
IXFK150N10
$0 $/Stück

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