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SQS460EN-T1_GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 60V 8A PPAK1212-8

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SQS460EN-T1_GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.55350 -
6,000 $0.52751 -
15,000 $0.50895 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 8A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 36mOhm @ 5.3A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 20 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 755 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 39W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8
Paket / Koffer PowerPAK® 1212-8
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Zugehörige Teilenummer

IRFR010TRPBF
IRFR010TRPBF
$0 $/Stück
IRFRC20TRPBF-BE3
FKI10300
FKI10300
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NDD02N60ZT4G
NDD02N60ZT4G
$0 $/Stück

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