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IPD30N06S215ATMA2

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MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31

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IPD30N06S215ATMA2 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $0.52021 -
5,000 $0.49420 -
12,500 $0.47562 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 55 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 30A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 14.7mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 80µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 110 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1485 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 136W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PG-TO252-3-11
Paket / Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Zugehörige Teilenummer

NDD02N60ZT4G
NDD02N60ZT4G
$0 $/Stück
STB18N65M5
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$0 $/Stück
SIR164DP-T1-RE3
IXFN36N100
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$0 $/Stück
IXTY1R6N50D2
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$0 $/Stück
SIHB24N65E-GE3
RRH140P03GZETB
2SK3019TL
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