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SQSA80ENW-T1_GE3

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SQSA80ENW-T1_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 80V 18A PPAK1212-8

compliant

SQSA80ENW-T1_GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.43296 -
6,000 $0.41263 -
15,000 $0.39811 -
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 80 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 18A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 21mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 21 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1358 pF @ 40 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 62.5W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8
Paket / Koffer PowerPAK® 1212-8
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Zugehörige Teilenummer

NTMT190N65S3HF
NTMT190N65S3HF
$0 $/Stück
IXTH340N04T4
IXTH340N04T4
$0 $/Stück
IXTA08N50D2
IXTA08N50D2
$0 $/Stück
SIDR402DP-T1-RE3
IRF300P227
25P06
25P06
$0 $/Stück
RTR025N05HZGTL
IRFS350A
IXTA42N15T-TRL
IXTA42N15T-TRL
$0 $/Stück

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