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SUG90090E-GE3

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SUG90090E-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 200V 100A TO247AC

nicht konform

SUG90090E-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
500 $3.04212 $1521.06
1,000 $2.59038 -
2,500 $2.46876 -
33 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 200 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 100A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 7.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 9.5mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 129 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 5220 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 395W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247AC
Paket / Koffer TO-247-3
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Zugehörige Teilenummer

RM20N650T2
RM20N650T2
$0 $/Stück
SCT040H65G3AG
SIHF9520S-GE3
FQPF6P25
2N7002WT1G
2N7002WT1G
$0 $/Stück
RD3U041AAFRATL
NVMFS4C01NWFT1G
NVMFS4C01NWFT1G
$0 $/Stück
IXTH24N65X2
IXTH24N65X2
$0 $/Stück

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