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VQ1006P-E3

VQ1006P-E3

VQ1006P-E3

Vishay Siliconix

MOSFET 4N-CH 90V 0.4A 14DIP

VQ1006P-E3 Technisches Datenblatt

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VQ1006P-E3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ 4 N-Channel
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 90V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 400mA
rds ein (max) @ id, vgs 4.5Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 60pF @ 25V
Leistung - max. 2W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Paket / Koffer -
Lieferantengerätepaket 14-DIP
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Zugehörige Teilenummer

SQJ500EPTR
SQJ500EPTR
$0 $/Stück
APTC60AM70T1G
FDSS2407-SB82086P
FDSS2407-SB82086P
$0 $/Stück
EFC2J003NUZTCG
EFC2J003NUZTCG
$0 $/Stück
FDS6900AS-G
FDS6900AS-G
$0 $/Stück
GWM180-004X2-SMDSAM
GWM180-004X2-SMDSAM
$0 $/Stück
GWM180-004X2-SLSAM
GWM180-004X2-SLSAM
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