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VQ3001P-E3

VQ3001P-E3

VQ3001P-E3

Vishay Siliconix

MOSFET 2N/2P-CH 30V 14DIP

VQ3001P-E3 Technisches Datenblatt

nicht konform

VQ3001P-E3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ 2 N and 2 P-Channel
FET-Funktion Standard
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 850mA, 600mA
rds ein (max) @ id, vgs 1Ohm @ 1A, 12V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 110pF @ 15V
Leistung - max. 2W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart -
Paket / Koffer -
Lieferantengerätepaket -
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Zugehörige Teilenummer

GWM100-01X1-SLSAM
GWM100-01X1-SLSAM
$0 $/Stück
DMP2160UFDB-7R
FDN5632N
PMV30XPEA,215-NXP
PMDPB760ENX
GWM180-004X2-SMD
GWM180-004X2-SMD
$0 $/Stück

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