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| Name | Wert |
|---|---|
| Produktstatus | Obsolete |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET-Funktion | Silicon Carbide (SiC) |
| Drain-Source-Spannung (VDSS) | 1200V (1.2kV) |
| Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C | 444A (Tc) |
| rds ein (max) @ id, vgs | 4.3mOhm @ 400A, 20V |
| vgs(th) (max) @ ID | 4V @ 105mA |
| Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs | 1127nC @ 20V |
| Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds | 19.5nF @ 1000V |
| Leistung - max. | 3000W |
| Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
| Montageart | - |
| Paket / Koffer | Module |
| Lieferantengerätepaket | Module |
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