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AO4800B

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MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC

AO4800B Technisches Datenblatt

compliant

AO4800B Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.25740 -
6,000 $0.24310 -
15,000 $0.23595 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 6.9A
rds ein (max) @ id, vgs 27mOhm @ 6.9A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 7nC @ 4.5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 630pF @ 15V
Leistung - max. 2W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SOIC
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Zugehörige Teilenummer

SI6969DQ-T1-E3
SI7945DP-T1-GE3
FDS3812
FDS3812
$0 $/Stück
SIZ920DT-T1-GE3
NTMD2C02R2
NTMD2C02R2
$0 $/Stück
SI5944DU-T1-GE3
US5K3TR
US5K3TR
$0 $/Stück
SH8K5TB1
SH8K5TB1
$0 $/Stück
SIZ700DT-T1-GE3

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