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AO4826

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MOSFET 2N-CH 60V 6.3A 8-SOIC

AO4826 Technisches Datenblatt

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AO4826 Preise und Bestellung

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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C -
rds ein (max) @ id, vgs 25mOhm @ 6.3A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 58nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2300pF @ 30V
Leistung - max. 2W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SOIC
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