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AOB125A60L

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MOSFET N-CH 600V 28A TO263

AOB125A60L Technisches Datenblatt

nicht konform

AOB125A60L Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $4.60000 $4.6
500 $4.554 $2277
1000 $4.508 $4508
1500 $4.462 $6693
2000 $4.416 $8832
2500 $4.37 $10925
585 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 28A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 125mOhm @ 14A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 39 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2993 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 357W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-263 (D2Pak)
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

SSU2N60BTU
CSD17556Q5B
CSD17556Q5B
$0 $/Stück
IRFU214PBF
IRFU214PBF
$0 $/Stück
CSD18512Q5BT
IXFT26N60P
IXFT26N60P
$0 $/Stück
SQJ463EP-T1_GE3
SI7423DN-T1-GE3
IRF630STRRPBF

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