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AOB286L

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MOSFET N-CH 80V 13A/70A TO263

AOB286L Technisches Datenblatt

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AOB286L Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
800 $1.10715 $885.72
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 80 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 13A (Ta), 70A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 6V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 5.7mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 63 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3142 pF @ 40 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2.1W (Ta), 167W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-263 (D2Pak)
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

STW58N65DM2AG
STD6N80K5
STD6N80K5
$0 $/Stück
CPH3341-TL-E
CPH3341-TL-E
$0 $/Stück
PSMN1R2-25YLDX
SIHA6N65E-GE3
STP170N8F7
STP170N8F7
$0 $/Stück
VN0104N3-G
SIR688DP-T1-GE3

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