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AOI600A70

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MOSFET N-CH 700V 8.5A TO251A

AOI600A70 Technisches Datenblatt

nicht konform

AOI600A70 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.59906 $0.59906
500 $0.5930694 $296.5347
1000 $0.5870788 $587.0788
1500 $0.5810882 $871.6323
2000 $0.5750976 $1150.1952
2500 $0.569107 $1422.7675
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 700 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 8.5A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 600mOhm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 15.5 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 870 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 104W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-251A
Paket / Koffer TO-251-3 Stub Leads, IPak
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Zugehörige Teilenummer

GP2T080A120U
GP2T080A120U
$0 $/Stück
STP60N043DM9
IRF4104SPBF
SIR4608LDP-T1-GE3
NVTFWS004N04CTAG
NVTFWS004N04CTAG
$0 $/Stück
SQ4850EY-T1_GE3

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