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AON5802BG

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MOSFET 2N-CH 30V 10A 6DFN

AON5802BG Technisches Datenblatt

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AON5802BG Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
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500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion Standard
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 10A (Ta)
rds ein (max) @ id, vgs 18mOhm @ 7A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 32nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1050pF @ 15V
Leistung - max. 3.1W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 6-WFDFN Exposed Pad
Lieferantengerätepaket 6-DFN-EP (2x5)
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Zugehörige Teilenummer

IRF9622156
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$0 $/Stück
BUK7E8R3-40E127
NTMFD0D9N02P1E
NTMFD0D9N02P1E
$0 $/Stück
FDG6304P-X
FDG6304P-X
$0 $/Stück
JANTXV2N7334
VHM40-06P1
VHM40-06P1
$0 $/Stück
JANTXV2N7335

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