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AON5810

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MOSFET 2N-CH 20V 7.7A 6DFN

AON5810 Technisches Datenblatt

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AON5810 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 7.7A
rds ein (max) @ id, vgs 18mOhm @ 7.7A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 13.1nC @ 4.5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1360pF @ 10V
Leistung - max. 1.6W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 6-WFDFN Exposed Pad
Lieferantengerätepaket 6-DFN-EP (2x5)
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Zugehörige Teilenummer

SI4542DY
SI4542DY
$0 $/Stück
SH8M12TB1
SH8M12TB1
$0 $/Stück
IRF7304QTRPBF
SI7901EDN-T1-GE3
MP6M12TCR
MP6M12TCR
$0 $/Stück
VMM1000-01P
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$0 $/Stück
SI5902DC-T1-E3
FDD9407
SP8M4FRATB
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$0 $/Stück
ZXMD65P03N8TA

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