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AONR32314

AONR32314

AONR32314

MOSFET N-CH 30V 17A/30A 8DFN

AONR32314 Technisches Datenblatt

compliant

AONR32314 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
6,000 $0.13860 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 17A (Ta), 30A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 8.7mOhm @ 17A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.25V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 32 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1420 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 4.1W (Ta), 24W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-DFN (3x3)
Paket / Koffer 8-SMD, Flat Lead
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Zugehörige Teilenummer

IRF610PBF-BE3
DI045N03PT-AQ
SCH1435-TL-W
SCH1435-TL-W
$0 $/Stück
GT52N10T
GT52N10T
$0 $/Stück
NTTFS5D9N08HTWG
NTTFS5D9N08HTWG
$0 $/Stück
BUK7Y53-100B,115

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