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AOTF10T60

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MOSFET N-CH 600V 10A TO220-3F

AOTF10T60 Technisches Datenblatt

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AOTF10T60 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
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500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 10A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 700mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 35 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1346 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 43W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220F
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

NTB125N02R
NTB125N02R
$0 $/Stück
IRL3502SPBF
SI1056X-T1-E3
IXTR30N25
IXTR30N25
$0 $/Stück
SI7718DN-T1-GE3
IRFIBF30G
IRFIBF30G
$0 $/Stück
STW75NF30
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$0 $/Stück
BUK9509-55A,127
BUK9509-55A,127
$0 $/Stück

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